SiC/GaN基半導體器件用Bhadra?系列BHO200型超高溫氧化爐
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項?? 目

高溫氧化爐

功? 能

???用于SiC、GaN等高溫氧化工藝?

???滿足真空/氣氛高溫氧化工藝

重要參數

???最大晶圓尺寸：滿足6寸以下晶圓工藝要求?

???最大載片量：50片/批?

???最高加熱溫度：1500℃

裝卸片方式

???立式垂直升降?

???立式真空密封系統



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